SC1210
不建议用于新设计。
特性
- 高效双MOSFET驱动器
- +12 V电源电压与内部LDO优化栅极驱动
- 峰值驱动电流
- 自适应非重叠门驱动提供射击穿透保护
- 快速上升和下降时间(典型的15ns与3000pf负载)
- 超低(<30 ns)传播延迟(BG变低)
- 浮顶闸门传动
- 撬杠功能,过电压保护
- 高频(至1.5 MHz)操作允许使用小型电感器和低成本陶瓷电容器
- 欠压锁定
- 低静止电流
- 标准SO-8包装
- 英特尔奔腾®处理器电源
- AMD Athlon™和AMD- k8™处理器电源
- 大电流低压DC-DC变换器
应用程序
包装
- SOIC-8
顺序码
- SC1210STR:包装最小磁带和卷轴
分销商/目录供应商库存
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部分# | 国家 | 数量 | 买 | 经销商 |
---|
Pb(铅)无/ RoHS-Green信息
基本部件号(1)
SC1210
部分描述
高速12v同步功率mosfet驱动器
引线数量
8
包类型
SOIC
Pb-Free(2)
是的
回流温度°C(3)
260
铅或球处理
哑光Sn
韩剧评级
1
吉格101 a & b(12)
是的
关于欧盟2012/19 /(19)
是的
中国RoHS 2 GB/T 26572-2011
是的下载报告
RoHS符合例外(8)
没有
须测试(10)
热循环晶须测试
(-40°C至+85°C / 4000循环)
(-40°C至+85°C / 4000循环)
是的
环境温度储存,晶须测试
(50°C, 4000小时)
(50°C, 4000小时)
是的
60°C/90%RH 4000小时,晶须测试
是的
声明及报告
ipc - 1752 - 2
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