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1N64xx系列瞬态电压抑制器设计用于保护军事和商业电子设备免受雷电、ESD、EFT、感性负载开关和EMP引起的过电压。这些器件由p-n结TVS二极管构造在一个密封的,无空隙的玻璃封装中。密封的封装在恶劣的环境条件下提供高可靠性。TVS二极管的进一步特点是其高浪涌能力,低操作和箝位电压,以及理论上的瞬时响应时间。这使得它们非常适合用作敏感半导体元件的板级保护。这些器件是符合mil - prf -1950 /552的DSCC QPL。